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Question (質問)
質問1:NASICON型固体電解質と金属ナトリウム負極の間で生じる高い界面接触抵抗と短絡(デンドライト成長)を抑制するために、開発部長が提案した界面制御手法は何ですか。 / 質問2:系統用定置型蓄電池(BESS)の普及において、可燃性や毒性ガス発生リスクのある硫化物系を退け、NASICON型酸化物系を最優先支援対象とすることで全員が一致した決定的な理由はどれですか。
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