Luyện Nghe JLPT N1 Bài 105

4ナノへの微細化びさいかの壁かべを突破とっぱするため、開口数かいこうすうを従来じゅうらいの0.33から0.55へ引ひき上あげた『High-NA EUV露光ろこう装置そうち』の導入どうにゅうがいよいよ現実げんじつのフェーズに入はいった。しかし、解像力かいぞうりょくが飛躍的ひやくてきに向上こうじょうする代償だいしょうとして、焦点しょうてん深度しんどが極きわめて浅あさくなり、光学系こうがくけいの許容きょよう誤差ごさはピコメートル単位たんいに突入とつにゅうしている。リソグラフィ部門ぶもん、熱管理ねつかんりの進捗しんちょくはどうなっている？

リソグラフィ開発部長 (Nữ): 最大さいだいの障壁しょうへきは、出力しゅつりょく500ワットを超こえるEUV光こうがMo/Si多層膜たそうまくミラーに照射しょうしゃされた際さいの局所きょくしょ加熱かねつによるミラーの微細びさい膨張ぼうちょうです。これが光路こうろの波面はめん収差しゅうさを引ひき起おこし、回路かいろパターンの歪ひずみを生うんでいました。これに対たいし我々われわれは、光学系を高精度に温度管理するとともに、露光中の波面を計測し、そのデータを補正機構へフィードバックする『アクティブ波面補正システム』を検証しています。熱変形を抑える冷却機構と組み合わせることで、連続露光時の波面誤差を許容範囲内に保つことを目指しています。

財務戦略ディレクター (Nam 2): 技術的ぎじゅつてき目処めどがついたのは素晴すばららしいですが、High-NA装置そうちは1台だいあたり約やく500億おく円えんと、現行機げんこうきの倍ばい以上いじょうの価格かかくです。すべてをいきなりHigh-NAに切きり替かえれば減価げんか償却費しょうきゃくひで利益りえきが吹ふき飛とびます。現在げんざい立たち上あげ中ちゅうの第1だいいちファブの2ナノプロセスは、実績じっせきのある現行げんこうLow-NA機きのダブルパターニングで製造せいぞう歩留ぶどまりと原価げんか優位性ゆういせいを死守ししゅすべきです。High-NA機きは次世代じせだい

4ナノ開発かいはつ専用せんようの第2だいにファブにのみ初期しょき限定げんてい配備はいびし、技術ぎじゅつ習熟しゅうじゅくとマスクアライメントの成熟せいじゅくを待まって段階的だんかいてきに水平すいへい展開てんかいするポートフォリオが、財務ざいむ健全性けんぜんせいと競争力きょうそうりょく維持いじの両面りょうめんから最も合理的です。

最高技術責任者 (Nam 1): 合意ごういだ。熱補正ねつほせいの実機じっき検証けんしょうを進すすめつつ、設備せつび導入どうにゅう計画けいかくはその段階的だんかいてきアロケーション案あんで取締役会とりしまりやくかいに上程じょうていしよう。